鐵雜質是硅片製造過程中常見的重金屬沾污,表面光電壓(SPV)法可很好地用於測定P型硅中鐵雜質。
對其進行了透*電鏡(tem)、X*線粉末衍*(XRD),場誘導表面光電壓譜表徵(FISPS)。
本文報導了一種液體探針表面光電壓微分譜測量方法。
由於背拋光面對受光面入*光的反*,使得少子產生率和受光面表面光電壓都高於單面拋光片。
測定了七種四苯基卟啉化台物製成的薄膜電極的光電壓和光電流及其固體粉末的表面光電壓譜。
本文改進了常規表面光電壓測試少子擴散長度法,採用環形下電極消除了薄樣品背面光電壓信號對測量結果的影響;
單光束表面光電壓譜儀,當光源強度隨時間發生漂移時,必然產生結果誤差。