特點是採用“反向擊穿硅光電二極管”做靶面,並用快電子掃描。
原型機是大腦正電子放*斷層專用掃描，採用了下一代雪崩光電二極管探測技術。
濾波器、積分器、光電二極管放大器和高阻抗傳感器等器件均可受益於這些特*。
光電二極管固有的熱產生的暗電流不斷為二極管充電。
白熾燈、二塊干涉濾*片和二隻硅光電二極管分別作為可見輻*光源、*散元件和光電轉換器。
考慮了工作信號躁聲，感光光電二極管深嵌入硅片中，與芯片表面上產生噪聲的元件相隔離。
為了建立食品中喹啉黃含量的反相液相*譜測定方法，同時採用光電二極管陣列檢測器進行定*分析。
如果光電二極管有大量的暗電流，大部分二極管信號電容會在沒有信號情況下被充滿。
雪崩光電二極管以其接收靈敏度高、響應速度快等優點，常用於掃描式激光成像系統中。
該光電二極管安放在一個電屏蔽的暗箱中。
本文介紹一種採用自掃描光電二極管列陣(SSPDA)作為激光干涉條紋接收器的新型單頻激光干涉儀。
光電放大器用於放大由光電導、光電二極管和光電池所得到的光強度信號，如圖、
基於4400系統，通過引入光電二極管列陣作為傳感器，構造了具有光學多道分析功能的信號處理系統。
設備採用了光電二極管，舉例來説，檢查運載裝置是否已正確裝載時，如果是，二極管發出的光線就會被工件遮蓋。
雪崩光電二極管APD的偏壓產生電路。
利用偏移型光電二極管的特*設計了四*鑑別器。
文中列出了碲鎘*光電二極管結電容的測量結果.
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