它綜合考慮了襯偏效應、短溝道效應以及兩者之間的關係。
高能粒子在碳納米管繩裏的溝道效應,顯示大的溝道直徑和微弱的退溝道因子。
帶電粒子在晶體中的運動會受到溝道效應和阻塞效應的強烈影響。
其課題在於,針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管,提高二維電子濃度和電子遷移率,.並且不產生短溝道效應。
為了減小小尺寸mos器件的短溝道效應,採取了改進器件的結構、改變溝道摻雜以及減小柵氧化層厚度等措施。