7、Applications of NAND Flash in Mass Capacity Memory Technique
11、High speed and high capacity image recorder based on NAND flash
15、而NAND領域，三星、東芝、現代、美光、英特爾等實力大廠雲集，NAND遇到的任何問題，都有大量的研究人員投入其中。
19、在3月，英特爾公司曾宣佈，公司NAND閃存業務上的利潤增長較低。
23、iPad使用的NAND閃存，比傳統台式機和筆記本配備的硬盤更小巧且耗能更低。
27、東芝持有全世界NAND閃存市場的35% 的份額，在這次災難中其位於日本北部一處關鍵生產設施遭遇了電力短缺。
1、dycmos NAND gate
5、NAND is a great growth industry; we're pretty positive on it. We're expecting NAND revenues to grow 50% this year, after growing 20% last year.
10、This is the second NAND flash device in production at the 20-nm class, joining a 64-Gbit 25-nm multi-layer cell NAND Flash from IM Flash Technologies, according to UBM TechInsights.
16、NAND閃存是一個快速增長的行業，我們對該行業非常樂觀，預計NAND閃存產品收入今年增長50%，去年增長了20%。
21、Now, apple computer company very much pays attention to Toshiba in the progress on this technology, apple computer is NAND the one of big customer that dodges to store flat.
26、對於手機NAND內存的容量，最初大部分廠家都認為沒有必要太大，因為可以靠外接內存卡實現超大的容量。
2、hazardless NAND network
8、A Static Wear-leveling Algorithm Based on NAND Flash
14、Toshiba will continue to keep and maintain its NAND flash fabs. There appears to be no change on that front.
22、並結合高分辨率數碼相機實例分析了NAND型閃存K9W8G08的優缺點以及解決方案。
29、路透東京12月5日電---日本放送協會(NHK)週五報導指出,在需求疲弱之際,全球第二大NAND型快閃記憶體(閃存)業者東芝(6502.T: 行情),將讓旗下兩座工廠的晶片生產作業暫停九天,為七年來首度暫停生產.
6、圖圖NAND串的橫截面圖。
17、Adopting complementary-encoding of light intensity and volume holography, a content-addressable optical holography truth table look-up system based on the NAND operation is structured.
25、有動靜稱，東芝能夠經由過程56納米出產工藝很好地節制產量，但三星52納米NAND閃存出產仍遭逢“瓶頸”問題。
4、NAND FLASH Test Platform Based on SOPC
18、現在臭名昭著的S -折扣(安全關)將禁用此NAND的安全*。
31、一種具有如下*質的邏輯運算符:假設P是一個命題,Q是一個命題,R是一個命題……如果其中至少有一個命題為假,則對P,Q,R,…作NAND運算的結果為真,只有所有的命題均為真時,其運算結果才為假。同NOT-AND,sheffer stroke。
13、Apple was accused on late Sunday by anonymous industry sources of 'bullying' NAND flash memory suppliers through its purchasing tactics.
3、multilevel NAND circuit
24、它是基於該公司的最先進的V - NAND閃存芯片和一個特別設計的高*能控制器。
20、上個月，兩家公司便已經參與到了由JEDEC固態技術協會牽頭的DDR2.0 NAND接口標準化工作中去。
28、NAND串的一個端子經由選擇晶體管SGD連接到相應的位線，且另一端子經由第二選擇晶體管s GS連接到c源極線。
12、"Readout" mode for NAND memory chips which have a huge count of bit errors.
9、The Theory Introduction and Timing Research of Low-power NAND-type TCAM
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