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“電介質擊穿”簡單造句,電介質擊穿造句子
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因此擊穿電壓的檢測必須重視
電介質擊穿
現象的電參數值的測量。
通過固體
電介質擊穿
理論的分析,提出由局部*缺陷發展逐漸導致介質擊穿需要較長的發展
時間
。
提出了芯片門電路硅氧化層靜電放
電介質擊穿
的物理模型。
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介質擊穿
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