有些系統允許兩者之間的大規模集成,而有些系統無需任何集成就可獨自完成所有必需的功能。
熔融硅微粉主要用於大規模集成電路及半導體元器件的封裝,高檔電氣絕緣、硅橡膠等行業。
其中硅基鍺量子點器件因其製備工藝與成熟的大規模集成電路工藝的兼容*而更加受到人們的重視。
該試劑用於清除勻膠後殘留於硅片邊緣及背面的光刻膠,已經廣泛應用於中、大規模集成電路及其它半導體器件的生產。
在超大規模集成電路設計流程中,設計規則檢查是關鍵一環。
隨着大規模集成電路的複雜*日益增加,邏輯模擬開始採用並行離散事件模擬技術。
英特爾公司1968年創立時名為諾摩電子公司,由諾伊斯和摩爾共同創立,二人曾發明集成電路,後又生產大規模集成電路。
它們有一個低功耗與低輸出阻抗的簡單結構,可以用作超大規模集成電路設計中的接口電路,以減少基片的外部引線數。
介紹了美、歐、日、韓今後發展超大規模集成電路的對策。
近年來,由於電路規模不斷增大和電路功能日趨複雜,使得大規模集成電路的設計很難保*邏輯設計的正確無誤。
本文利用大規模集成電路一開關電容濾波器SCF作為語音特徵提取的基本組件,以微機為控制中心(),設計了時分複用動態語譜分析系統。
偽路徑的存在嚴重影響了對大規模集成電路的定時分析。
最後,給出了用本法對兩種正*電子抗蝕劑選擇最佳曝光劑量的結果和製作的大規模集成電路掩模版的照片。
在一塊芯片上集成了上千個組件的大規模集成電路問世。
對於超大規模集成電路的平面狀表面,可以用偏置濺*澱積法的層間介質澱積(見9.2.4節)或用平面化工藝來近似獲得。
隨着AD轉換技術和大規模集成電路的的發展,數字中頻接收技術日趨成熟。
摘要縱橫嵌入的理論已被用在超大規模集成電路的設計中。
硅材料是現代大規模集成電路的基礎,是微電子學領域中最重要且應用最廣泛的一種材料。
你對PEAR 這種大規模集成類庫不感興趣。
對於超大規模集成電路的平面狀表面,可以用偏置濺*澱積法的層間介質澱積(見9.2.4節)或用平面化工藝來近似獲得。