“摻雜濃度”簡單造句，摻雜濃度造句子

生長了不同季氨鹽摻雜濃度的kdp晶體，其錐光干涉實驗顯示了晶體的內應力引起的雙摺*和雙軸晶特*較明顯。

當勢壘厚度、勢壘高度、子阱厚度、間隔層厚度、摻雜濃度改變時，可以觀察到dbrtd直流特*也隨之改變。

飽和磁化強度隨摻雜濃度的增大而增大.

檢測擴散結深和摻雜濃度。

此外，漂移區採取線*變摻雜，摻雜濃度自阱區到漏極方向逐漸增大，很好地優化了橫向電場分佈。

同時對較高摻雜濃度下的聲子透*率作出一些推測，部分推測已得到其他研究者工作的*實。

結果表明，對特定的材料體系，適當控制摻雜濃度，可以同時觀察到熒光和*光光譜，使摻雜器件的外量子效率在純聚合物發光器件的基礎上得到明顯提高。