其課題在於,針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管,提高二維電子濃度和電子遷移率,.並且不產生短溝道效應。
富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術後,新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。