淨應力是失配位錯增殖的驅動力，是應變多量子阱穩定的重要判據。
利用金屬鏡面微腔激光器中真空場和量子阱中電子態函數，對比了TE模和TM模的自發發*譜。
量子阱奧古斯塔是一個標兵的凹印目錄市場，生產的產品的一些北美最大的編目。
因此，SESAM除了其量子阱材料的可飽和吸收效應能啟動鎖模外，本身的負克爾效應也有助於鎖模的自啟動。
藍移的大小與量子阱的寬度，阱距表面深度，注入離子劑量，能量，及退火條件有關。
量子阱結構超輻*發光二極管具有良好的温度特*和一致*。
提出了採用選擇區域量子阱混合的方法，使集成器件兩工作區域具有不同的中心波長。
當存在光激發時，量子阱中基態電子可躍遷到這些弱干涉非定域態上，在外電場作用下形成光電流譜的多峯結構。
第五章，介紹了一種含有負折*率材料的光子晶體量子阱結構。
數值計算結果表明，量子阱中界面聲子與電子的相互作用是不可忽略的。
研究結果表明，在存在表面這樣的量子阱結構中，雖然系統不含有能帶論要求的晶格週期*，但在作約10毫電子伏躍遷能量修正後，其量子受限特*與能帶論的預期仍然是一致的。
介紹了能帶混合量子阱中的多能谷混合和異質谷間轉移電子效應。
文中通過求解薛定諤方程得到拋物形量子阱的變換矩陣與透*係數。
但對量子阱線中帶電激子體系的研究很少，所以本文主要研究量子阱線中帶電激子的*質。
模擬表明，在恆定的偏置電流下，沿集電結方向移動量子阱能顯著提高光學帶寬。
重點設計了量子阱結構來降低閾值電流，提高輸出光功率。
從理論上推出多量子阱垂直腔面發*半導體激光器的速率方程。
在計算中考慮量子阱具有無限高勢壘，計算了雜質態結合能隨阱寬、雜質位置和電場強度的變化規律。
研究了量子阱中的價帶混合、能帶扭曲和阱間空穴氣的耦合。
分析了腔鏡反*率、量子阱數等參數對閾值電流、輸出光功率的影響，並根據理論計算對器件參數進行了優化設計。
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