最後，研究了共面波導自偏置環行器的設計方法。
接收電路設計給出了完整的解決方案，解決了高壓偏置電路、前置放大器的設計等技術難題。
闡述高功率結式環行器的温度特*與偏置磁場的內在聯繫，給出提高温度特*的方法。
用靜電計進行電荷測量時容易受到幾種誤差源的影響，其中包括：輸入偏置電流、輸入端壓降、產生電流和低的源阻抗等。
我們必須十分重視晶體管的偏置.
在這種情況下，最好使用偏置補償歐姆法而不使用電流反向法來消除偏置。
在確定SMU的輸入端壓降時，必須包括電壓源所使用量程的偏置電壓。
隨着現代通信電子技術的發展，迫切需要低噪聲、高增益、低偏置、小體積的*頻放大器。
MOSFET的輸入二極管是由一個電場控制在門區，因此總是輸入阻抗非常高，因為沒有正向偏置二極管，以降低輸入阻抗。
為了消除內部的偏置，由偏置或漂置補償電路在測量週期的特定期間來測量前置放大器的偏移電壓。
研究表明：偏置直流的增加，降低了材料的磁導率，提高了截止頻率，並且在一定偏置直流範圍內，磁導率呈線*變化。
針對偏置動量輪系統，基於經典控制論設計了俯仰通道的PID控制律和滾動—偏航通道的非最小相位控制律。
加速度計的偏置誤差形成一平均的常值偏離加上一振盪分量.
此外，濕度或濕氣還能夠與存在的污染物結合起來，產生電化學效應，併產生偏置電流。
該電路採用了對稱結構充放電流鏡，自偏置高擺幅共源共柵鏡像電流源和電流開關加速電路，提高了高速工作時電路的穩定*，消除了電壓跳變現象，解決了充放電流不匹配的問題，且輸出擺幅較大。
在測量高電阻源時要考慮的另一個問題是電壓表的輸入偏置電流。
脈衝的電壓，寬度，預設直流偏壓和偏置時間可以由用户設定。
利用多邊形外角定理的推廣，判斷偏置後曲線多邊形的旋向，刪除多餘多邊形。
非線*偏置隧道二極管單穩線路，在毫微秒脈衝技術中有廣闊的應用前途。
對永久磁鐵產生的偏置磁場進行了分析，並將永久磁鐵產生的磁力與電磁鐵產生的磁力進行對比；
通過施加規定的反向偏流，然後測量二極管兩端的電壓，即可測得反向偏置電流。
這個電阻稱為分流電阻，可將電橋電壓偏置為零。
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