利用薄膜的暗電導和激活能對硅薄膜的電學特*進行了表徵。
隨着 μc-Si:H亞層厚度的減小,喇曼譜中晶態峯降低,暗電導温度曲線的彎折點移向高温段.
測定薄膜的暗電導與温度間的關係,發現薄膜的電導激話能為各向異*。