因為最小可控硅的導通電壓降的緣故,熱損耗顯得至關重要。
因此,提高開關速度並改善正向導通電壓和關斷時間的折衷關係是這類器件的關鍵問題之一。
其包覆溝渠底部的相反參雜區域會稍微伸入其電流導通的平台區,但是卻不會讓其順向導通電壓特*變差。