“氮化鎵”簡單造句，氮化鎵造句子

目前市面上多數的白*發光二極管都是基於氮化鎵的.

氮化鎵晶體管已經取得了他們的方式進入低電壓應用，碳化硅會發現難以望其項背。

20世紀70年代早期RCA的確成功的從氮化鎵二極管中析出些許光線，但是它的藍*LED太暗並且功效低下。

但是，不斷增加的工作頻率和帶寬，將為如砷化鎵和氮化鎵等化合物半導體打開一扇大門。

實驗發現氣凝法生成的氮化鎵奈米微粒以均勻的圓球形分佈。

雷聲公司稱正在演示使用氮化鎵微波集成電路放大器的發*-接收模塊。

發展方向為脱硫及餘熱回收發電、氮化鎵。

研究者們在“概念驗*”實驗中使用的半導體材料是氮化鎵。

其課題在於，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，.並且不產生短溝道效應。

氮化鎵將給予作戰人員在戰場上更大的機動*、效能和可靠*。

在高ECR等離子體密度下沉積高質量氮化鎵薄膜

富士通公司指出使用氮化鎵高電子遷移率晶體管技術後，新型放大器功率比目前使用砷化鎵晶體管的放大器的功率提高了6倍多。

同時,我們也針對在不同長晶温度下以氮化鎵為基底的氧化鋅薄膜結構進行研究.

本實驗利用兩種不同製程的氣凝法將奈米氮化鎵沉積在液態氮冷凝阱上，收集此奈米粉進行更深入的光學及結構分析。

本文闡述了在氮化鎵生長中使用的藍寶石晶片淨化的重要*。

因此，光輔助電化學制程適合在高亮度氮化鎵發光二極體的應用。