1、雖然硅是一種非直接躍遷半導體,但它的發光機制同樣服從於直接躍遷半導體的廣義普朗克輻*定律。
3、在不同陳化時間,浸漬相同次數製得的膜具有相同的直接躍遷禁帶寬。
2、由於厚膜中存在較強的表面相互作用,厚膜的直接躍遷禁帶寬與薄膜相比發生了紅移。