本文首先簡要地回顧了非晶半導體的歷史和近年來含*非晶硅瞋的迅速進展。
在荷電的懸掛鍵模型下,計算了各種情況下的費密能級和電子濃度。並對兩類不同的非晶半導體作了詳細的討論。
通過計算電子由一種缺陷中心向另一種缺陷中心的跳躍概率,解釋了非晶半導體中的低温帶隙跳躍導電問題。