7、在室温下,將多孔硅浸泡於不同濃度熒光素*溶液中,取出晾乾後對多孔硅光致發光譜(PL)進行了研究。
4、圖3樣品在不同退火温度下的室温光致發光譜Fig。
2、比較不同樣品的光致發光譜,實驗結果符合量子限制-發光中心模型。
1、光致發光譜顯示製備的氮化稼納米線有良好的發光特*。
3、在紫外吸收譜中表現為吸收邊明顯藍移,而在光致發光譜中,表現為帶邊發*的藍移。
6、光致發光譜中紫外發*峯積分強度和可見發*峯的積分強度比達到54,表明得到了較高質量的氧化鋅量子點。
5、同時,孔隙率和光致發光譜隨腐蝕時間的變化趨勢*實了提高孔隙率是提高多孔硅發光強度的必要條件。