7、論述薄膜生長過程中影響薄膜附着力的各種因素，針對其相關因素作了具體的理論分析。
11、文章還從實驗和理論上分析了影響多晶硅薄膜生長速率的因素。
15、其中原子水平遷移是薄膜熱弛豫的主要途徑，入*原子的注入和遷移行為相互競爭，決定了薄膜生長的模式和最終結構。
19、因此可以認為，在多晶硅薄膜生長的最初階段，空間反應過程對低温晶化起重要作用。
1、通過反*高能電子衍*(RHEED)儀原位實時監測薄膜生長，研究薄膜的生長過程。
5、建立了定向薄膜生長的物理模型，提出了碳納米管的開口生長機制。
10、單晶基片的表面光潔度指標是影響後續薄膜生長質量的重要因素。
16、利用特殊設計的夾具，在同一真空內完成所有薄膜樣品的製備，減少了多次沉積過程對薄膜生長特*的影響。
21、利用分子動力學模擬方法，從原子尺度上研究了類金剛石（DLC）薄膜生長過程。
4、通過反*高能電子衍*原位實時監測薄膜生長，結合原子力顯微鏡等表徵手段，分析了薄膜的表面微觀結構，確定了薄膜的生長模式。
12、根據測試結果分析了薄膜的生長機制，提出了薄膜生長是分步成核，成核後沿(111)面縱向生長的觀點。
18、在該模型中，我們考慮了沉積速率、沉積温度以及沉積角度等影響薄膜生長的參數。
3、本文提出了一個高壓條件下的PANI薄膜生長模型。
13、隨着薄膜生長速率的降低，錫膜由金屬轉變為半導體，呈現出非金屬導電特*。
22、本實驗中氣流量也是影響薄膜生長的重要因素，氣流量過大，分子沒來得及落到襯底表面就被吹走；
9、最後對蒙特卡羅方法模擬薄膜生長的研究進行了展望。
2、文章分析了半導體薄膜生長工藝流程的特點。
17、用分子動力學和薄膜生長的擴散限制聚集模型，薄膜中結瘤微缺陷成核時的分形現象得到了很好的解釋。
14、由於薄膜的生長過程是一個隨機過程，所以蒙特卡羅方法便很自然地被應用於計算機*薄膜生長這一過程。
20、薄膜生長過程中的結構和形態的研究在很多領域都有實際的應用，特別是在半導體制造領域。
8、室温下，UO_2表面的鋁薄膜是以島狀方式生長的，生長過程中由於擴散行為的影響，導致確定薄膜生長方式的強度變化曲線發生了畸變。
6、薄膜生長技術的進展，為壓電和鐵電薄膜集成固體器件在各個領域的應用開闢了廣闊的前景。
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