“隧穿”简单造句，隧穿造句子

系统处于这两个宏观量子态的相干叠加态，它们之间由于相干隧穿导致能级的劈裂。

在赝能隙相位期间，铜氧化物半导体中电子发生了改变，那里的电子隧穿能力在不同的氧原子中有所区别。

基于相位时间和隧穿时间的定义计算了电子穿过方形势垒的相互作用时间，在此基础上设计一个实验尝试研究电子隧穿方形势垒的相互作用时间。

而宏观量子隧穿现象同时又是一个亚稳态的衰减过程.

在I-V特*曲线上具有双微分负阻的三稳态共振隧穿器件，室温下可以达到较高的电流峰谷比5。

用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特*。

最后，我们的模拟发现，普通SOI结构SBSD-MOSFET能有效阻挡来自源结的热电子发*泄漏电流，但仍不能阻挡来自漏结的隧穿泄漏电流。

摘要研究了电子隧穿通过量子点的相干输运特*。

而从信息存储的观点，量子隧穿则引起信息遗失。

由晶格内束缚态离子引起的共振隧穿现象将完全不同于低能下束一靶相互作用引发的核反应现象。

运用数值的方法研究了分子磁体的隧穿效应中量子经典渡越问题。

利用针尖修饰及纳米组装技术，采用三种不同的新方法构造出串联双隧穿结结构。

研究了中间绝缘层厚度、界面状况及反铁磁层钉扎对隧穿磁电阻的影响。