在铟、紫铜、锡、*铜等机械接触中，铟电极具有最低的接触电阻，其他电极须经电冶成方能进行测定。
由微动引发的微动磨损或微动腐蚀，会造成连接器的接触电阻值升高从而降低其接触*能。
指出：在铋、金、镍三种材料中，铋与硒的接触电阻较小。
使用四线方法消除了接触电阻和引线电阻的影响，这对于测量半导体材料的电阻率是特别重要的。
讨论了氧化溶液组成和*作条件对氧化膜耐蚀*和接触电阻的影响。
但其在工业大气中很容易腐蚀变*，不仅影响产品外观，还会增加电子元件的接触电阻，降低它的可焊*。
给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。
供电电极的接触电阻与大地的电阻率成正比，与电极的粗细及入土深度有关。
导通电阻测试需注意参考点(基准点)选择、接触电阻及现场干扰的影响。
采用该方法可以区分触头表面污染状态，并根据接触电阻的变化规律及其变化值的大小评价触头接触可靠*。
为了减小器件的接触电阻和电流的非均匀*，使用了独特形状的集电极，总的电流密度也因此提高。
电阻焊机；焊接回路；接触电位差；接触电阻；
镀C材料的微动接触电阻值远高于镀金材料的电阻值，低接触压力下镀C材料的微动接触电阻不稳定。
接触电阻一般非常小其范围在微欧姆到几个欧姆之间
用SPICE进行了TEC各种特*的*和讨论，分析了环境温度、制冷功率、附加热阻、接触电阻、工作电流以及电流源等对TEC工作特*的影响。
图4-42示出使用580型微欧姆计、2010型数字多用表或2750型数字多用表数据采集系统进行四线接触电阻测量的基本配置情况。
图4 -42说明用来测试一个接点的接触电阻的基本配置。
溅*工艺制备出的铝背场接触电阻随退火温度升高呈下降趋势且溅*工艺的接触电阻比印刷工艺更小。
利用本工艺电镀能得到*能优良的钯镀层，如外观白亮、反光率高、接触电阻小、硬度高、耐磨、耐蚀等优点。
通过四电极法测量了复合板与碳纸间的接触电阻。
对于大多数的应用来说，微欧姆计或数字多用表足以用来进行接触电阻的测量工作。
平均读数法去除了接触电阻的某些影响。
针对特殊结构和材料的焊接*能，指出目前的焊接问题主要是存在飞溅和接触电阻过大而带来的“打火”现象；
一高质量电阻器在信号道路和使用瑞士与黄金接触适合低接触电阻和长期的耐久*一起使精密衰减器内只。
研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件*能的影响，结果表明接触电阻是影响器件*能的主要因素。
分支接头结构合理并用先进的工艺制作，接触电阻极小，不受热胀冷缩影响。
各种低阻测量的应用包括：接触电阻、超导体电阻和导体电阻率的测量等。
接触电阻就是电流流过闭合的接触点对时的电阻。
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