配位共價鍵是其中兩個鍵合電子均來自該鍵所涉及的原子之一的鍵。
金屬鍵合線互連是*頻大功率晶體管內匹配技術中的關鍵手段。
半導體硅與玻璃的靜電鍵合技術是微電子機械系統（MEMS）的關鍵技術，而作爲關鍵材料之一的靜電鍵合玻璃有着廣闊的工業應用前景。
試驗研究了不同超聲功率條件下，鍵合時間對粗鋁絲引線鍵合強度的影響規律。
用乙烯爲探針研究了固氮酶中N鍵合位。
本文透過對金屬—金屬多重鍵簇合物的合成，鍵合結構及主要反應的闡述系統地介紹了金屬—金屬多重鍵化學這一迅速發展的新學科。
卡波沫爲*烯*鍵合蔗糖的烯*基醚的聚合物,呈**.
給出了綜合考慮剛、**及多種能域相互耦合的柔*機械系統鍵合圖模型的建立方法。
熱超聲倒裝鍵合作爲前沿封裝技術具有良好的發展前景。
固定化方法主要有吸附法、包埋法、共價鍵合法和交聯法。
然後蒸氣透過模製品以水合和熔融蛋白質，從而在相鄰的砂粒間產生鍵合。
本文介紹了功率鍵合圖的基本概念，以直動式溢流閥爲例，討論了鍵合圖的建立、狀態方程的建立、液壓系統動態響應的數字*方法。
在超聲引線鍵合過程中，鍵合力是影響鍵合強度的重要因素之一。
最後，進行了陽極鍵合、金-硅鍵合試驗，研究了試驗中影響鍵合強度的關鍵因素，提出了較爲可行的鍵合工藝。
這個這兒的區域指的的了鍵合區域。
實踐*，使用該電源進行靜電鍵合能顯著改善靜電鍵合的質量，從而大大提高靜電鍵合的合格率。
分析了金絲與金導體鍵合的可靠*問題，總結了金絲鍵合失效的原因，並提出了改進的措施。
器件鍵合失效主要表現爲溫度試驗後管殼上的鍵合點脫落，而引起失效的原因與工藝過程和鍵合所涉及的材料有關。
在MEMS器件的設計與加工過程中，鍵合技術是體硅工藝的一項關鍵技術。
利用熱鍵合技術將不摻雜晶體與同基質摻雜晶體鍵合在一起，形成複合晶體可有效減小由端面變形引起的熱透鏡效應，.有利於激光器穩定及高功率運轉。
s和1s上兩個電子組成的鍵合電子成橢圓形,這是成鍵，這是反鍵電子，這些是剛剛已經畫過的能級,我也給你們畫了。
錫與碳的鍵合形成有機錫化合物,用於穩定PVC材料,還用在殺蟲劑和殺真菌劑中。
在此基礎上確定了自動組裝系統的組成結構，並詳細介紹了研製的具有力感知功能的微*作手、三工位鍵合爐以及顯微視覺等關鍵技術模組。
分析了金硅共晶鍵合的基本原理，討論了鍵合實驗的基本工藝，給出了鍵合的測試結果。
超聲鍵合是實現集成電路封裝中芯片互連的關鍵技術之一。
具有共價鍵合的*原子的交聯劑，所述*原子具有至少一個共價鍵合的氧原子。
該超細絲材可用作集成電路封裝鍵合絲。
穿好自己的鞋不要盲目攀比不要削足適屐關鍵合適雙腳關鍵便於行走，踏出真正屬於自己的路。
聚乙二醇鍵合相已用於高效疏水作用*譜分離活*蛋白質。
本文設計合成了一種新型臂式冠醚，並研究了它對鹼（土）金屬離子的生*傳感和選擇*鍵合行爲。
介紹了電子封裝材料中用於引線鍵合工藝的幾種主要導電絲材料，包括金絲、銅絲和鋁絲。
摘要在硅／玻璃激光鍵合中，溫度場的分佈是影響晶片能否鍵合的關鍵因素。
利用偶聯反應合成溴**綠鍵合硅膠，指出溴**綠鍵合型改*硅膠作爲新一代化學鍵合相，具有很大的發展潛力。
該鍵合相合成方法簡單，*能穩定，適用於正相和反相液相*譜。
結果表明，採用兩步固化法鍵合後的芯片適用於低壓場合，而氧等離子體鍵合強度高，能承受很高的外加壓力；
在兩個碳原子之間爲雙鍵的情況中，如果每個碳原子還鍵合着兩個其它的基團，而且都嚴格固定在同一平面上，那麼相應的基團可以在C＝C鍵的同一側（順式）或彼此分佈於C＝C鍵兩側（反式）。
引線鍵合是實現微波混合電路的關鍵技術。
基於價鍵理論，建立了陽極鍵合的機理模型，進一步得到鍵合過程的外電路電學特*與鍵合質量的內在關係。
對於高密度引腳芯片，成品率優於絲鍵合。
本文采用數值模擬的方法研究了銅絲球鍵合技術中的形球過程。
錫與碳的鍵合形成有機錫化合物，用於穩定PVC材料，還用在殺蟲劑和殺真菌劑中
對csp鍵合金絲的熱可靠*進行了研究。
鍵合中常能發現一種紫*的金屬化合物，稱爲紫斑。
結果表明，鍵合劑的效能與鍵合劑和粘合劑的互溶*、粘合劑的鏈段結構、粘合劑的活*基團和固化劑的反應速度及它們的相互作用等方面，有強烈的相關*。
針對於此，提出將表面活化預鍵合方法應用於激光局部鍵合中。
苯炔和乙炔中間體之間的雙分子質子鍵合複合物已經被提出。
送絲系統是金絲球焊機的重要組成子系統，絲線傳輸的阻力控制和張緊力控制是金絲球焊機送絲系統的關鍵技術之一，其對鍵合質量有着重要的影響。
良好的鍵合總伴有表面延伸即塑*切向形變。
目前，引線鍵合主要是採用熱超聲鍵合技術。
SOT-體管封裝自動鍵合機是高速、高精度機電一體化精密設備。
在嵌段聚合物中有一類，即由剛*鏈段和柔*鏈段鍵合而成的，聚合物倍受人們關注
提出了一種基於DSPFPGA的鍵合機運動控制系統設計方案，實現了對鍵合機平臺中直線電機的高速高精運動控制。
從理論上研究了鍵合過程中的熱過程，如鍵合介面區中氧的擴散和雜質的再分佈。
本文透過化學鍵合的方法，將兩種雜環化合物直接鍵合在拋光的單晶鍺表面。
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