“束缚能”简单造句，束缚能造句子

这说明该模型也适用于对量子环中激子的束缚能和PL谱等物理*质的研究。

在第二部分，我们采用第一部分所选的变分波函数和得到的束缚能进一步计算了类*杂质体系的光致电离截面。

若入*粒子能量大于原子的束缚能则电离是主要的。

利用B样条技术计算类*施主杂质量子环能级和束缚能的量子尺寸效应。

VI 族半导体具有大的禁带宽度、较大的激子束缚能和强的室温激子效应，一向被认为是制备室温激子非线*器件和短波长发光器件的重要侯选材料之一。

用EHT紧束缚能带计算方法，研究了四元合金的电子结构。

本文研究了在静态时不同势场下，标示核物质*质的核物质内部压强和束缚能对核物质密度的依赖关系。

采用紧束缚能带理论，利用所提出的考虑卷曲效应的紧束缚能量哈密顿量，建立了公度双壁碳纳米管（DWNT）的能带结构模型；

并求得它们对应的束缚能，晶格驰豫能和光离化能。

把方形量子阱线的一维等效势模型推广到矩形量子阱线中，通过变分法计算了无限深方形和矩形量子阱线内激子的束缚能，进一步验*了量子线有-形状*的度规法则存在。

随着杂质中心上原子数目的增加，施主束缚能变浅。

那么我们称它为第三电离能，或者负的束缚能，还是，2，s，轨道的，但现在我们是从正二价硼离子开始的。

所以如果我们知道晶体中，电子的束缚能，通常这个是很好测的，对于大多数物质，这都是已知的。