“禁带宽度”简单造句，禁带宽度造句子

讨论了增加禁带宽度的方法及一维光子晶体全角度反*镜中存在的问题。

标签PbTiO3无定形薄膜折*率禁带宽度。

特别是介电常数与填充比在一定范围内与禁带宽度成正比关系；

VI 族半导体具有大的禁带宽度、较大的激子束缚能和强的室温激子效应，一向被认为是制备室温激子非线*器件和短波长发光器件的重要侯选材料之一。

普通多层膜系结构光子晶体的禁带内能量损失较低，可是禁带宽度通常有限，而且出现较宽的全角高反带很难。

光吸收系数以及禁带宽度均随薄膜厚度的增加而下降。

薄膜的禁带宽度随掺杂浓度的增大而减小

例如，硅和锗的禁带宽度分别为1．1电子伏和0．65电子伏。

而镓*盐由于具有更好的化学稳定*，较窄的禁带宽度，更适合用来作为荧光粉材料。

本文采用光电导光谱分布法和红外光*法初步研究了硅晶体中禁带宽度与应力的关系。