高純度的單晶硅是製做電子集成電路的基礎材料。工業上製備高純硅的化學反應原理爲：①SiO2+2CSi+2CO②S...

問題詳情：

高純度的單晶硅是製做電子集成電路的基礎材料。工業上製備高純硅的化學反應原理爲：

①SiO2+2CSi+2CO②Si+3HClHSiCl3+H2③HSiCl3+H2Si+3X

反應①製得粗硅，通過反應②③進一步得到高純硅；三*硅*（HSiCl3）的沸點是 31.8℃．下列有關說法不正確的是（　　）

A．反應③中X 的化學式爲 HCl 

B．三*硅*由*、硅、*三種元素組成 

C．三*硅*中硅、*元素的質量比爲 1：3  

D．反應②③實現了硅元素的富集，將粗硅轉化爲高純硅

【回答】

【分析】根據給出的轉化關係對應的過程分析每個對應的問題，或者直接分析每個問題，從給出的信息中找對應的信息。

【解答】解：

A、③HSiCl3+H2Si+3X，根據質量守恆定律可知，反應③中X 的化學式爲 HCl．正確；

B、三*硅*（HSiCl3）由*、硅、*三種元素組成。正確；

C、三*硅*（HSiCl3）中 1：3是硅、*元素的原子個數比而非質量比。錯誤；

D、反應②③實現了硅元素的富集，將粗硅轉化爲高純硅。正確；

故選：C。

【點評】讀信息，從中獲得解答題目所需的信息，所以在解答題目時先看解答的問題是什麼，然後帶着問題去讀給出的信息進而去尋找解答有用的信息，這樣提高了信息捕捉的有效*。

知識點：各地中考

題型：選擇題