7、介紹了測量片狀小損耗介質介電常數、半導體電導率及非平衡載流子壽命等參數的結果。
11、該衰減率不僅與載流子壽命有關,還和光子壽命有關,這一點與普通半導體激光器“接通”時的動態行爲有所區別。
1、本文提出了一種測量少數載流子壽命的方法。
5、最後,提出了通過測量暗電流輸出來測量少數載流子壽命的方法,並給出了實驗和計算的結果。
10、結果表明,半導體光放大器的載流子壽命是導致輸出波形畸變的主要因素。
2、材料中的光生載流子壽命對輻*也有一定的影響。
8、研究了用於喇曼放大的絕緣硅(SOI)脊形波導中自由載流子壽命與非線*光學損耗的關係。
14、我們又進一步研究了退火對少數載流子壽命和表面複合速率的影響,因爲其對太陽能電池的最終效率影響很大。
9、開路電壓衰減法(OCVD)具有直接、簡單、重複*好等特點,可準確測量器件的少數載流子壽命。
4、本文提出了一種新的測量半導體材料中少數載流子壽命的方法。
3、提出了一種快恢復二極管新結構:少數載流子壽命橫向非均勻分佈。
6、帶隙中的深能級束縛自由電子實現補償作用外,還有限制遷移率及載流子壽命等特點。
13、計算結果表明,發*區載流子壽命的變化幾乎不影響注入到基區的電子電流,但卻成反比例地影響基區空穴電流。
12、對微波光電導法測量半導體少數載流子壽命的測試系統進行靈敏度分析。