7、enhancement-depletion type MOS circuit
11、floating gate avalanche injection type MOS memory
15、Testing MOS transistors including high voltage LDMOS and low voltage MOS after the process experiment, then analyze the results of test.
19、THE STUDY ON TECHNIQUES OF SIC MOS DEVICE AND CIRCUITS;
23、The MOS dynamic shift regisers do not consist of flip-flops, but of inverters.
27、ISFET是基於MOS結構，用於生化參數測量的傳感器。
31、通過對MOS電容進行熱載子注入和總劑量輻照實驗，探討了MOS結構熱載子注入與總劑量輻*響應的相關*。
35、The Monthly Operational Summary (MOS) reports on the status of projects in the Bank's lending pipeline: from the point of identification of the project to the signing of the loan or credit agreement.
39、本文給出了一個新的半導體器件兩維數值分析程序SDA—1，該程序可對雙極晶體管及MOS場效應晶體管進行有限元法兩維數值分析。
43、在版圖的設計上，對輸入級採用交叉耦合結構，減小由於工藝原理引起的MOS管匹配，從而減小電路的失調電壓；
2、complementary MOS logic circuit
6、MOS static random access memory
12、Study on AlGaN/GaN MOS-HEMT's Characteristics
17、MOS IC Reliability Assurance Data and Application Research;
22、EEPROM is an important MOS memory and its role also can't be neglected.
28、光控MOS柵固態繼電器是由MOS柵控晶閘管、開關三極管、光電耦合器、增強型MOSFET和齊納二極管組成的新型開關器件。
33、本文介紹了一種將MOS電路級描述轉換成邏輯級描述的統一方法。
38、通過控制各MOS 管的柵電壓和寬長比可得到線形度較好的高精度電阻器。
44、此外還研究了高寬長比功率驅動MOS晶體管的版圖優化設計，通過採用高密度的版圖結構使有效寬長比密度提高了一倍，從而使其佔用的版圖面積爲縮小爲原來的一半。
4、MOS dynamic random access memory
10、stack-gate avalanche injection type MOS memory
18、Influence of Irradiation on Oxide Film Reliability in MOS Structure;
25、對三電平電路、MOS管並聯等進行了研究。
32、The design for high-power MOS tube as the core original pipe, using discrete components and integrated operational amplifier combines the low-frequency power amplifier design.
40、T639-MOS對大範圍降水和強降水預報效果較好，且隨着預報時效臨近，數值模式預報*能調整，預報能力顯著提高；
1、A new structure of power MOS-gated thyristor named Trench MOS Controlled thyristor (TMCT) is presented.
9、The voltage lifting device controls grid electrodes of the first MOS transistor and the second MOS transistor.
20、The formal Mean Opinion Score (MOS) obtained subjectively is compared with the result.
29、MOS器件的寄生電阻不能隨着器件尺寸的縮小而縮小，因而寄生電阻對於小尺寸mos器件*能的影響不容忽視。
37、本發明降低了導電*塞的電阻，並且降低了擴散的離子進入MOS單元的溝道區域的可能*。
3、ion-implanted MOS circuit
14、Power MOS field effect transistor in MOS integrated circuit technology is developed on the basis of a new generation of power switch device.
26、該MOS系統也可以令人信服地施加到航天器。
41、本文采用較全面的包括四個寄生雙極晶體管和MOS管的閂鎖模型，詳細分析了瞬態輻照下CMOS反相器的閂鎖效應。
8、double diffused MOS integrated circuit
24、以及一電壓提升裝置，用以控制該第一MOS晶體管及該第二MOS晶體管的柵極；
42、在傳統的CMOS電荷泵電路中，電荷泵輸出的電壓受MOS管的閾值電壓限制，所以當要求電荷泵的輸出電壓較高時，則不得不連很多階來達到要求。
16、高電壓，照片MOS繼電器。
36、The neuron MOS transistor is a recently discovered device which is capable of executing a weighted sum calculation of multiple input signals and threshold operation based on the result of summation.
21、神經MOS晶體管是1991年發明出來的一種具有高功能度的多輸入柵控制的浮柵MOS器件。
5、dual diffused MOS integrated circuit
45、通過改變MOS變容管的接入方法實現了更好的壓控增益線*度，並採用了新的低寄生電容、低導通電阻的數控電容陣列結構來補償工藝變化帶來的頻率變化。
13、Families and products of MOS memory for semiconductor integrator circuits
34、基於C -MOS設計，具有高度防止噪音訊號及低耗電量等特點。
30、通過分析MOS管在飽和區失配因素，優化MOS管失配模型，提出用最小二乘曲線擬合法進行相關模型參數提取。
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