利用x*線對氣體分子的電離作用,在一定電壓下用一束x*線照*真空滅弧室,使滅弧室內產生電離電流。
真空滅弧室的觸頭對真空斷路器短路電流開斷能力和額定電流導通能力有重要的影響。
對杯狀縱磁真空滅弧室觸頭建立了與實際觸頭結構完全一致的有限元分析模型,模型中把電弧弧柱處理成圓柱形金屬導體。
今後,真空開關的發展趨勢是真空滅弧室向小型化發展、真空開關向高電壓等級和低電壓等級發展。
本論文主要對杯狀橫向磁場觸頭結構真空滅弧室的研製過程進行了詳細的闡述。