問題詳情:
砷化鎵(GaAs)是優良的半導體材料,可用於製作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題:
(1)寫出基態As原子的核外電子排布式 ____________。
(2)根據元素週期律,原子半徑Ga______As,第一電離能Ga_____As。(填“大於”或“小於”)
(3)AsCl3分子的立體構型為____________,其中As的雜化軌道類型為____________。
(4)GaF3的熔點高於1 000 ℃,GaCl3的熔點為77.9 ℃,其原因是__________________。
(5)GaAs的熔點為1 238 ℃,密度為ρ g·cm-3,其晶胞結構如圖所示。該晶體的類型為________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質量分別為MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏加德羅常數值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積佔晶胞體積的百分率為____________。
【回答】
(1)[Ar]3d104s24p3
(2)大於 小於
(3)三角錐形 sp3
(4)GaF3為離子晶體,GaCl3為分子晶體
(5)原子晶體 共價 ×100%
知識點:物質結構 元素週期律
題型:綜合題