鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：（1）基態Ge原子的核外電子排布式為[...

問題詳情：

鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：

（1）基態Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________，有______個未成對電子。

（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結構角度分析，原因是________________。

（3）比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規律及原因___________。

（4）光催化還原CO2製備CH4反應中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。Zn、Ge、O電負*由大至小的順序是______________。

（5）Ge單晶具有金剛石型結構，其中Ge原子的雜化方式為__________，微粒之間存在的作用力是_____________。

（6）晶胞有兩個基本要素：

①原子座標參數，表示晶胞內部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子座標參數A為（0，0，0）；B為（，0，）；C為（，，0）。則D原子的座標參數為______。

②晶胞參數，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數a=565.76 pm，其密度為__________g·cm-3（列出計算式即可）。

【回答】

（1）3d104s24p2 ；2；

（2）鍺元素原子半徑大，難以通過“肩並肩”方式形成π鍵；

（3）GeCl4、GeBr4、GeI4均為分子晶體。組成和結構相似的分子晶體，相對分子質量越大，分子間作用力越大，熔沸點越高。相對分子質量GeCl4＜GeBr4＜GeI4，所以，熔沸點GeCl4＜GeBr4＜GeI4；

（4）O＞Ge＞Zn；

（5）sp3 ；共價鍵（或非極*鍵）；

（6）①(；；)；②。

知識點：物質結構 元素週期律

題型：填空題