短週期主族元素M、N、X、W在元素週期表中的相對位置如圖所示，N元素的單質常用作半導體材料．下列判斷正確的是（...

問題詳情：

短週期主族元素M、N、X、W在元素週期表中的相對位置如圖所示，N元素的單質常用作半導體材料．下列判斷正確的是（　　）

A．原子半徑的大小：W＞X＞M

B．氣態*化物的穩定*：N＞X＞M

C．對應的含氧*的**強弱：W＞X＞N

D．W分別與N、X形成的化合物中的化學鍵均為極*鍵

【回答】

【考點】位置結構*質的相互關係應用；元素週期律和元素週期表的綜合應用．

【專題】元素週期律與元素週期表專題．

【分析】N元素的單質常用作半導體材料，則N為Si，結合短週期主族元素M、N、X、W在元素週期表中的相對位置可知，X為P，M為O，W為Cl．

A．電子層越多，原子半徑越大；同週期從左向右原子半徑減小；

B．非金屬*越強，*化物越穩定；

C．非金屬*越強，最高價含氧*的**越強；

D．W分別與N、X形成的化合物中的化學鍵分別為為Si﹣Cl、Cl﹣P鍵．

【解答】解：N元素的單質常用作半導體材料，則N為Si，結合短週期主族元素M、N、X、W在元素週期表中的相對位置可知，X為P，M為O，W為Cl．

A．電子層越多，原子半徑越大；同週期從左向右原子半徑減小，則原子半徑為X＞W＞M，故A錯誤；

B．非金屬*越強，*化物越穩定，則氣態*化物的穩定*：N＜X＜M，故B錯誤；

C．非金屬*越強，最高價含氧*的**越強，則最高價含氧*的**符合，故C錯誤；

D．W分別與N、X形成的化合物中的化學鍵分別為為Si﹣Cl、Cl﹣P鍵，均為極*鍵，故D正確；

故選D．

【點評】本題考查位置、結構與*質，為高頻考點，把握元素的位置、*質、元素週期律為解答的關鍵，側重分析與應用能力的考查，題目難度不大．

知識點：物質結構 元素週期律單元測試

題型：選擇題