這些此阿里奧具有高線*和非線*折*率，對帶隙光具有感光*。
在一個間接帶隙材料，像鍺元素，最低能級與價帶（綠*）的動量差不同（參見黃*和黑*的箭頭）。
低濺*功率下，與鍵角畸變有關的結構無序是導致光學帶隙變窄的主要因素。
利用電磁帶隙結構改善微帶陣列天線的電學特*，結果發現，天線陣陣元間的互耦能得到比較好的抑制。
最終，靠採用完全帶隙聲子晶體襯底，我們獲得了只有單個輻*支的定向輻*，它的半強角寬大約為。
結果表明三種晶體皆為非直接帶隙物質。
它必須失去足夠的能量，屬於過去的帶隙納入地方電子獲准。
本論文為整個*頻收發機芯片設計了一種高*能的帶隙基準電壓源。
德國和瑞士的研究人員發展出一種新方法來製取極窄的石墨烯帶，並能使其有確定的寬度和帶隙。
半導體分為兩種，一種有直接帶隙，像鎵砷化物，另一種有間接帶隙，像鍺元素和硅元素。
用全向量平面波法計算三角結構光子晶體光纖的帶隙。
鍺反蛋白石的測試光譜圖有明顯的光學反*峯,表現出光子帶隙效應.
其原因是硼元素的摻入促進了金剛石單晶的(111)晶面生長，使受主能級提高，晶體的帶隙變窄，載流子濃度提高。
這種帶足夠窄以至於形成電學帶隙，從而擁有開關*能。
一百介紹羣論在光子晶體帶隙平面波展開法計算中的應用，推導了改進後的算法公式。
天線內層是窄帶隙的納米管，與此相反，外層的納米管則具有較寬的帶隙。
金屬光子帶隙結構在高能加速器、微波真空電子器件和太赫茲波源等方*有重要的應用前景。
當層厚遞變時，光子帶隙均向長波方向移動。
這種獲得能量的電子和他留在原來能級上對應的位置的空穴的相互作用叫做一個激子激發過程，而這兩個不同能級之間的部分被稱作帶隙。
當這些三維的有序大孔材料具有孔維度和可見光的波長相當時，它們就可以作為光子帶隙和帶阻。
然而，與半導體硅不同，石墨烯的價帶和導帶之間沒有帶隙。
在帶隙附近存在四個表面態帶，其中的兩個佔有表面態帶已由價帶的同步輻*光電子能譜實驗得到*實。
結果表明聲子帶隙將出現在兩個完全分離的共振態之間.
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