“輻照損傷”簡單造句，輻照損傷造句子

選擇K件做輻照實驗，得到了幾個中子源對硅半導體輻照損傷的初步的能譜等效結果。

選擇3dk2器件做輻照實驗，得到了幾個中子源對硅半導體輻照損傷的初步的能譜等效結果。

這些陷阱可能是在不同生長條件的介質膜澱積過程中等離子體引進的有關輻照損傷。

在核電站一回路中，奧氏體不鏽鋼鑄件(CASS)在運行温度下長期工作除了受到輻照損傷外，還將面臨熱老化問題。

結果表明：在輻照的劑量率範圍內，無論是國產還是進口的雙極晶體管，都有明顯的低劑量率輻照損傷增強現象，且NPN管比PNP管的明顯。