隨着分子束外延(MBE)和有機金屬化學汽相澱積(MOCVD)技術的發展,出現了新型的半導體超晶格量子阱長波紅外探測器。
和化學氣相澱積工藝相反,雖然在*作中對於固體砷還是必須非常小心掌握,但是,分子束外延不需要龐大的安定保險裝置。
在的生長温度下,通過分子束外延在GaAs表面生長得到體心立方結構金屬Ni薄膜。
用分子束外延HgCdTe薄膜成功地研製出了外焦平面器件。