“MOSFET”簡單造句，MOSFET造句子

A new approach to improve the high-voltage vertical double-diffused MOSFET (VDMOSFET) body-diode recovery speed is proposed.

Finally, our simulation result shows that conventional SOI SBSD-MOSFET can effectively suppress thermionic emission leakage current, but it still can not suppress tunneling leakage current.

研究了MOS器件中的熱載流子效應，在分析了靜態應力下MOSFET壽命模型的基礎上，提出了動態應力條件下MOSFET的壽命模型。

這種結構器件能有效降低困擾常規MOSFET的短溝效應和寄生的雙極效應，能大幅度減小器件尺寸

最後，我們的模擬發現，普通soi結構SBSD - MOSFET能有效阻擋來自源結的熱電子發*泄漏電流，但仍不能阻擋來自漏結的隧穿泄漏電流。

The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.

在金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的作品在一個類似的原則，但二極管的MOSFET內掩埋。

The solid state switch device uses power MOSFET as soft switch, so, the spark doesn't appear when the circuit turn on or turn off.

本文提出了以運算放大器為基礎的一種新型電流模式MOSFET-C全集成精確連續時間平衡結構六階低通濾波器電路。

Application of ZnMgO on the High-κ MOSFET and TTFT;

採用先進的逆變技術和進口MOSFET功率開關器件。

器件的雙uvlo功能保護功率MOSFET不會因柵極驅動或電源電壓過低而損壞。

功率MOSFET已廣泛應用於開關電源、電機調速、不間斷電源、超聲波發生器以及高頻感應加熱電源等諸多領域。

Power MOSFET based slow rising-fast falling high-voltage pulse signal source

固態開關部件採用電力MOSFET做軟開關，使得電路通斷時，不會出現打火花的現象。

High Temperature Model and the Key Processes of SiC MOSFET;

多數的光耦在用於同步MOSFET柵極驅動隔離時都太慢。

如果摻硅欄N，則MOSFET被稱為N溝道器件。

供電電源則將14只功率場效應晶體管MOSFET接入電源變壓器次級，兩繞組的全部組合可構成18個不同扎數的次級。

三菱電機的主要產品包括IGBT模塊，IPM模塊，MOSFET模塊，晶閘管模塊和二極管模塊等。

Output conductance of 0.13μm MOSFET

MPS700 series dc voltage constant-current power supply, is designed by using linear series MOSFET control mode of the ac input dc output power.

牽頭負責短路保護裝置的建設和隨後的災難*放電電流的MOSFET。