對深亞微米器件中熱載流子效應(hce)進行了研究。
隨着MOS器件尺寸逐漸減小,由熱載流子效應導致的損傷變得越來越嚴重,已成為影響器件*能的主要失效機制之一。
研究了MOS器件中的熱載流子效應,在分析了靜態應力下MOSFET壽命模型的基礎上,提出了動態應力條件下MOSFET的壽命模型。