晶體生長形成結晶金屬原子最後到達點陣中的固定位置，晶體逐漸長大。
詳細討論了各種因素對晶體生長的影響。
本文提供了實時觀察高温熔體晶體生長的新方法。
緩凝劑在二水石膏晶胚表面的吸附，使其晶體生長受阻，成為水化的控制過程。
詳細地介紹了尋找適合於此晶體生長的最佳助熔劑，並給出BaB__—BaF_BaB__BaCl_BaB
結果表明，過冷純熔體中非快速凝固晶體生長的液固界面是不穩定的。
第二種方法是一種新穎的建模策略，它把晶體生長率作為非線*逼近器的人工神經網絡（ANN）與由蔗糖晶體質量平衡所表述的先前既定的知識相結合。
在空間晶體生長實時觀察裝置上，利用熔液中形成的鈮*鉀微晶作示蹤粒子，首次在空間高温氧化物熔液內，實時觀察和記錄了空間表面張力對流效應。
用體外模擬方法研究了從海藻異枝麒麟菜中提取的硫*多糖（ESPS）對尿結石患者尿液中草*鈣晶體生長的影響。
從晶體生長的基本原理出發，提出了按非連續機制生長的斜長石晶體結晶速率表達式.
超導磁體系統產生的磁場力可抑制晶體生長過程中的自然對流，從而提高晶體結晶質量。
籽晶方法生長金剛石採用温度梯度技術，金剛石晶體生長驅動力來源於腔體內構造的温度梯度。
為了獲得高質量的晶體，需要解決大尺寸銻化銦晶體生長過程中的精確等徑控制問題。
該設備應用定向固化技術，經融化、定向晶體生長，通過60小時左右鑄成多晶硅鑄錠。
利用接種生長方法研究了TATMP對過飽和溶液中碳*鈣晶體生長速度的影響。
同時探討了晶體結構中陽離子的種類及佔位；摻雜離子的種類、佔位及價態對晶體生長及*能的影響。
再略為詳細地討論液相外延生長過程，因為晶體生長是實現集成光路使用的必不可少的一個環節。
原理説明晶體生長中最成功的控制技術是拾取彎月面形狀變化的信號來加以調節，稱重法就是這種技術之一。
並對晶體生長的工藝參數進行了優化，得到了高質量的單晶體。
另外，晶體生長過程中放肩階段生長速率的突變則是導致孿晶形成的主要的外部因素。
本文以蔗糖過飽和溶液為研究對象，研究了聲場對糖液結晶，尤其是對晶體生長的影響。
一百零對不同*基鏈長度及濃度對影響晶體生長的條件作了探討，得到了最優化方案。
而且，隨着複方金錢草濃度的增加，一水草*鈣晶體生長抑制指數增大。
所使用的方法包括化學氧化法,在高温下用高壓氧直接氧化以及化學計量準確的二氧化鉛在溶液相中的晶體生長。
指出了晶體表面結構，顯示了負離子配位多面體在晶體生長過程中的結晶軌跡。
再根據晶體大小分佈理論（CSD），計算出斜長石的晶體生長速率、成核密度及成核速率等巖漿結晶動力學參數；
介紹了氣相中晶體生長的方法，如輝光放電濺*法和離子束濺*沉積法以及晶體外延生長的方法。
實驗結果表明，KTP晶體生長機制與原子化的BCF生長理論的面擴散或體擴散的線*定律與拋物線定律相吻合。
對該突變體酶進行了晶體生長研究，獲得了較大的單晶體。
晶體表面上雜質、缺陷、生長中心和台階結構的顯微觀察表明，高温高壓下合成的立方氮化硼晶體具有通常條件下晶體生長的一般特徵。
在生產中，為提高其成品率和可靠*，從晶體生長到器件封裝每一步工序均有很多細緻工作要做。
作者根據晶體生長和礦物學思想，在實驗室利用蛭石、*灰石、方解石和爐渣對人工配水和生活污水進行了除*實驗研究。
利用實時觀察方法對鍺*鉛晶體生長枝蔓晶的生長過程進行了描述和分析。
他知道自己將會代表一個生物科技公司進行蛋白質晶體生長的試驗。
探討了晶體生長過程中*心形成機理。
根據自然金晶體生長和台階運動的動力學以及台階聚並規律，自然金的晶體形態和晶面微形貌具有較強規律*。
在實際晶體生長過程中，熔體對流對晶體生長的影響是不可避免的，因此本文研究有對流作用的晶體生長問題。
用晶體生長裝置，將倒置的銥金坩堝加熱，是移出其中剩餘的釔鋁石榴石固化熔體方便有效的方法。
測定了OSO在苯和*苯中的溶解度曲線，並用溶液降温法進行了晶體生長的實驗。
同時在結晶器中增加細晶排出裝置，降低晶核數量，提高晶體生長速率，達到改善結晶質量的目的。
物理風化:熱脹冷縮、*楔作用、剝離作用和晶體生長。
研究合成條件，包括晶種、合成液鹼度以及合成時間對ETS-4晶體生長和膜形成的影響。
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