7、場致發*過程中，二次電子發*現象不可忽視。
11、應用發*光譜技術研究了T12熒光燈*極電子發*材料鋇的損失。
15、動能電子發*的實驗結果表明，電子產額隨入*離子速度的增加而線*增加
19、本文提出能解釋熱*極中各種現象的動態表面發*中心模型。電子發*來源於一個原子集團。
23、正電子發*斷層(PET)分子影像學是分子影像學的重要內容。
32、研究發現背向的電子發*產額不滿足餘弦關係，這是由於H2+上的價電子所引起的。
36、在金屬電子逸出功測定實驗中，未考慮由鎢絲電子發*引起的損耗，存在約-1.86%的系統誤差。
40、而在放電功率升高的過程中，離子轟擊*極產生二次電子發*效應導致了光發*譜強度急劇增強的轉變。
44、實驗結果表明該薄膜是一種好的場致電子發*體。
48、保持各個光電倍增管的增益一致*對正電子發*斷層成像（PET）的質量至為重要。
1、電子發*器件，電子源，圖像形成裝置，以及製造電子發*器件和電子發*裝置的方法。
5、該電子發*膜可以在其使發*電流流動時將場強限制為低水平，並且該電子發*膜具有均勻的電子發*特*。
10、顯示裝置包括電子發*體。
16、電子發*器件，電子源基片，成像設備及其生產方法。
21、電子發*體具有碳顆粒和金屬氧化物顆粒。
31、研究真空表面閃絡過程有兩類理論：二次電子發*崩潰(SEEA)和電子引發極化鬆弛(ETPR)。
37、本文論述了系統的真空度、清潔度對熱*極電子發*、電子光學系統*能的影響及污染物的來源。
42、目的：探討正電子發*計算機斷層顯像檢查中的護理方法。
47、考慮電子發*和吸收多個虛聲子的影響，討論了壓力作用下極*晶體中極化子基態的*質。
2、在電子管中，有一個電子發*源。
8、電子發*元件，電子源，圖象顯示裝置及製造方法。
14、例如正電子發*X*線攝影技術和單光子發*計算機化成像都可更清晰一些。
22、這種器件要實用化，急需提高*極的電子發*率。
34、推導出高能原電子斜入*時的金屬的有效真二次電子發*係數的表達式，它與入*角的餘弦近似成反比。
41、為滿足大電流密度電子發*的需要，對銻銫光電*極的製備工藝進行了研究。
49、在分析4hsic肖特基勢壘二極管正向電流熱電子發*理論的基礎上，計算了肖特基勢壘高度？
4、因此，由於電子發*層接收來自位於其側 面的*極電極的電子，所以電子主要從電子發*層表面的邊緣部發*， 藉此提高電子聚焦*能。
13、與正電子發*X*線攝影技術密切相關的是單光子發*計算機化成像（SPECT）。
24、引入線將室外天線與電子發*機或接收器連接起來的電線
38、俄歇電子發*，表面靈敏*，俄歇電子譜的測量，定*和定量分析，深度剖析等。
46、透*式光*極的厚度，直接影響光*極的光電子發*效率和光譜響應。
6、曲線呈線*關係*電子發*確為場致發*。
18、核衰變過程中,內轉換電子發*和電子俘獲能在原子電子殼層內留下空穴.
35、本發明的目的是降低因選擇電子發*元件用的掃描線的佈線阻抗的電壓下降而產生的拖影。
50、目的探討正電子發*體層成像(PET)與多發*硬化(MS)患者認知功能障礙的關係。
12、正電子發*斷層成像是一種結合單一分子放*示蹤的成像技術。
33、表面傳導電子發*顯示是新近開發的一種平板超薄顯示器。
51、本文介紹了一種新型電子粉的製備工藝和電子發**能以及用該電子粉替代三元碳*鹽製成緊湊型節能熒光燈後的工作情況。
20、電子發*體塗覆有金屬氧化物納米顆粒。
45、對硫化鋅粉料、硫化鋅半導體微晶薄膜進行了X*線光電子發*譜剖析。
25、電子發*式高温高壓靜電除塵技術是一種新穎的*氣淨化方法。
9、絕緣介質層的二次電子發*，使放電電流增大。
3、在電子管中,有一個電子發*源.
17、本發明提供的場發*裝置包括*極和柵 極。該*極上設有至少一個電子發*端。該柵極與該電子發*端臨近的表面 上設有絕緣層。
43、研究了不同襯底上納米金剛石膜場電子發**質。
39、從體效應中總結出來的固體理論，不能有效地解釋電子發*的問題，因為電子發*主要地來源於表面。
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