“光刻技術”簡單造句，光刻技術造句子

在高數值孔徑、低工藝因子的光刻技術中，投影物鏡彗差對光刻質量的影響變得越來越突出，因而需要一種快速、高精度的彗差原位測量技術。

這款產品將使用Intel第三代HKMG工藝，第五代硅應變技術，另外與32nm類似，22nm製程仍將繼續使用193nm液浸式光刻技術。

利用電子束光刻技術製作了基於鈦**納米線的納米器件

因此目前電子束光刻設備主要的用途是用於刻制掩膜板，許多人甚至認為電子束光刻技術的產出量永遠也無法滿足芯片量產的需求。

作為一種新型的微圖形複製技術，軟光刻技術用**模替代傳統光刻技術中使用的硬模來產生微形狀和微結構。

針對納米壓印光刻技術中壓印脱模後的留膜去除問題，提出了一種基於光刻版的無留膜紫外納米壓印技術。

二百納米光刻技術在微電子製作中起着關鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術製作中是最好的方法之

因為193 nm液浸式光刻技術與雙重成像的結合將迫使芯片產商對芯片設計準則設置更多的限制。

光刻技術應用到集成電路製造中，就是將掩模版的幾何圖形轉移到硅片表面的工藝過程。

羅傑斯博士介紹説，他們先使用標準光刻技術將薄型太陽能電池印製在半導體晶片上，然後再用軟橡皮圖章將硅電池轉而印製到另一種物質表面上。

納米壓印光刻技術具有效率高、失真率低、易於實現大面積圖形轉移等特點，成為下一代光刻技術的研究熱點。

應用於立體光刻技術的耐久*，白*，防水和低收縮的樹脂。