這些效應使飽和區電流會隨電壓的增加而減小,即存在負阻效應。
對一個soi結構的負阻效應和瞬態特*的模擬結果表明,該程序能夠正確模擬器件發熱情況以及自熱對器件特*的主要影響。
利用負阻效應特有的複合振盪現象取得了擴展振盪頻帶、增強振幅的效果;