硅晶片通常都是從一塊較大的硅上裁剪而來，此方式浪費了大概一半的圓晶原料。
電子繞圖中銀*的硅晶格中的*原子的軌道。
以炭黑和二氧化硅微粉為原料，對雙重加熱法合成碳化硅晶須進行了研究。
這些工廠還為其他芯片鑄造廠生產空白硅晶：Shin-Etsu 每月能生產約 120 萬 12 英寸的晶圓。
為了簡化運輸和儘可能降低被污染的風險，芯片製造商利用“前開式標準晶圓盒”即所謂的FOUP來搬運晶圓。每個無塵超淨的晶圓盒中可放置硅晶圓。
上週，Paniccia的團隊發佈了第一個完整地集成在硅晶集成電路中的光子通訊系統。
例如確保能量傳遞的雙向硅晶體擒縱裝置,以一件硅制零件取代三種功能的ulychoc避震器,既簡化結構但又特別重視效率,定價76萬元。
然而即使沙子是便宜的，但要從中提煉出適用於生產芯片的硅晶元來卻是昂貴的——確實，可以跟製造芯片本身相提並論了。
這個新設備是一張紙牌大小的硅晶片。
利維表示，利用該技術製作的晶體管比目前使用的硅晶體管小1000倍。
採用磁控共濺*法制備了含不同尺寸納米硅晶粒的氧化硅複合薄膜。
透*電子顯微鏡方法的研究顯示了兩種襯底上納米硅晶粒的尺寸。
同時研製了數控液流懸浮拋光機牀，並對硅晶片等材料進行了加工試驗。
英特爾系統的這些組件，包括激光器，都是使用和量產計算機集成電路同樣的硅晶刻方式生產。
這些納米天線由蝕刻硅晶片製作而成，用到了製作微處理器所需的高端技術，塑料片可以塑型，能適合示汽車和任何便攜式電子產品的外殼。
為什麼要選擇新巨-硅晶地暖設備?。
GB/T1554-1995硅晶體完整*化學擇優腐蝕檢驗方法
此圖顯示的就是光掩膜，上面印有將打印到硅晶片上的圖案。
本文采用光電導光譜分佈法和紅外光*法初步研究了硅晶體中禁帶寬度與應力的關係。
它們都集中在一塊直徑為30釐米的圓形硅晶圓上，每一塊這樣的晶圓可以被做成200塊各自*且完全相同的處理器。
結果表明：薄膜由非晶硅結構轉變為微晶硅結構，微晶硅晶粒尺寸在納米級。
一種製造噴墨打印頭的方法，包括：準備具有（110）晶面取向的單晶硅晶片作為基板；
有這種特徵的硅晶表面對水是完全排斥的，在這樣的硅晶表面上，水滴打上去就會象乒乓球那樣反*回去。
這意味着釋放等量電力的情況下，需要的硅晶體更少，但這也使得硅更熱——與商業微處理器差不多的發熱量。
這基本上是一個很小的坑硅蝕刻和兩高硼硅晶片密封。
玻璃板上的圖像，然後轉移到鎳硅晶片，簡稱為“墊片”。
這組人員設計了一個反*和干涉系統，將激光分成兩束，分別對準拋光硅晶片的兩面，將兩束光限制在硅當中。
這塊藍*平板是由多晶體硅製成的模塊。導體的溝槽和多硅晶體在其表面閃閃發光。
公司科研人員説，他們的非晶體硅半導體管與硅晶體半導體管電流速度一樣快，但製造成本卻低得多，產生的熱量也大為減少。
這是硅芯片——一個硅晶體的小芯片。
電子工業用水：集成電路、硅晶片、顯示管、電極管、電路管等電子元件沖洗水。
大部分理論計算研究的是量子限制對多孔硅和納米硅晶發光的效應。
晶種法在硅晶片表面生成超薄膜的的一項新興技術。
目前已經能在拇指指*大小的硅晶片上超精密地製造出相當於全世界人口數目的晶體管。
所以，數以千計的這類設備能夠通過使用為芯片上光學通信的高帶寬而設計的硅晶體管（silicon transistors）並行地進行生產。
托盤包含用來承置至少一未封裝的液晶硅晶顯示面板的至少一凹槽及裝設於凹槽一側可導電的連接結構；
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