3、本文研究了在薄二氧化硅層上快速熱退火(RTA)形成的多晶硅化鎳膜的電特*。
4、研究了低能質子注入誘導的界面混合和快速熱退火對量子點發光效率的影響,對其光致發光峯強進行了擬合計算。
2、不同預燒温度所製備的CCTO薄膜,經快速熱退火處理後,其介電損耗值較小,基本在0.1~0.35之間。
1、而且,發現在樣品中的深輻*能級的熒光效率也受到快速熱退火的影響。