本文提出了用N/P硅外延片的結光電壓光譜響應確定N/P硅外延片中少子擴散長度的方法。
結果表明,當注入水平較高時,少子擴散長度的測量值變長。
當少子擴散長度與襯底厚度的比值為2.5-3時,具有鋁背場結構的單晶硅電池可獲得最佳的輸出特*。
方法:本文首先介紹脈衝中子源法測量介質的擴散長度的原理及推導過程,然後講解發生器的設計與原理。
本文改進了常規表面光電壓測試少子擴散長度法,採用環形下電極消除了薄樣品背面光電壓信號對測量結果的影響;