採用霍爾斯坦和普里馬科夫提出的二次量子化方法把磁振子系統的哈密頓量簡化，並應用平均場理論處理了哈密頓量中的非線*相互作用項；
因此，單模光場與此介質相互作用的哈密頓量正比於光場的湮滅算符與產生算符和的四次方。
在嚴格考慮泡利不相容原理的前提下，我們導出了任意單粒子哈密頓量的多粒子、多空穴能態密度的精確的、一般的公式。
文中從單電子晶體管微觀哈密頓量出發，推導基於微觀參量表徵的單電子器件輸運特*公式及隧道結電阻表示式
基於電荷的量子化，導出了傳輸體系的哈密頓量和電流。
場對粒子運動的高階效應在振動哈密頓量中引起非簡諧項。
從系統的哈密頓量出發，利用玻恩馬爾可夫近似，推導出了原子的光學布洛赫方程。
採用線*組合算符和拉格朗日乘子法，分別導出了在強、弱耦合情形下表面電子的有效哈密頓量，得到了強、弱耦合表面電子的重正化質量。
在雙子格模型中，運用HP變換、付裏葉變換和玻戈留波夫變換，將簡單亞鐵磁體的海森伯交換作用哈密頓量對角化。
目的把用Pauli矩陣表示的哈密頓量轉化成用Hubbard算符表示。
本文采用線*組合算符和一種簡單的幺正變換，導出了表面激子的有效哈密頓量。
哈密頓量隨時間絕熱改變的量子系統遵循絕熱定理，但系統波函數不具有定態的穩定*質，它們不是定。
在二維各向同*諧振子中，除哈密頓量外還有三個*的守恆量。
通過量子化電容耦合電路和對角化電路哈密頓量，研究了介觀電路在壓縮真空態的激發態下的量子力學效應。
在大失諧條件下，使用時序算子T的二級微擾展開討論了單模光學腔中放置不同原子時有效哈密頓量的形式；
氨量子微波激*器：在哈密頓量含時情況下一個雙態系統的動力學情況。
二維各向同*諧振子體系除哈密頓量外還有三個*的守恆量。
使用了有限差分方法處理微分算符，並對其進行二次量子化，從而得到了用算符表示的哈密頓量表達式。
該哈密頓量所對應的光前形式下的介子本徵方程是在螺旋度-動量表象下表述的，不便於得到介子總角動量信息。
本文采用改進了的線*組合算符法導出了極*半導體中與形變勢相互作用的表面極化子的有效哈密頓量。
徑向方程的哈密頓量定義在半直線上，它的厄米*與波函數在原點的邊界條件有密切關係。
在準經典近似下，給出了習見形式的相對移動的等效哈密頓量。
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