Madelung常數和晶格能的計算機輔助計算
利用晶格能對凝膠玻璃的穩定*與析晶特*進行了定*分析。
本品具有良好的螯合、低限抑制及晶格畸變作用。
實驗考察了*烯*二十二酯降凝劑對原油中蠟相變過程的蠟晶晶格參數的影響。
本文還研究了存在於磁鐵礦晶格內的雜質元素對燒結的影響。
結果表明，與四方晶格材料不同，空穴型摻雜雙層三角晶格反鐵磁體積分自旋動力學不具有普適行為。
當以太晶格工作層中的初級或柔和顏*越多，水晶細胞結構就在提升的意圖中，越能在肉體層中成長。
利用緊束縛近似方法,在數學軟件MATLAB中繪製簡立方晶格S態電子在第一布里淵區的等能面.
利用格林函數運動方程技術，計算了系統的子晶格磁化強度、內能、比熱、平行磁化率和垂直磁化率等物理量。
之後，本文中提出了一種基於平面光波導和光纖，利用不同橫模產生倏逝場形成原子波導和一維光學晶格的方案。
固態非晶化的晶格穩定*判據。
與此同時，在晶化時誘發了兩種不同的從金紅石晶格到*離子缺陷的螢石晶格的拓撲轉變。
結晶粘土礦物的表面積主要依賴於晶格膨脹的程度。
説明了電子-晶格耦合對非線*極化的影響。
這類晶格層隨之在以太體內被重編，來允許身體已潰爛或傷疤的相關部分變成水晶體。
球孔的尺度比乳膠粒粒徑要小，使反蛋白石結構的晶格常數比蛋白石結構的晶格常數縮小了30%左右，但仍保持了長程有序*。
同時又受晶體的晶格類型、化學鍵的簡繁程度，化學成份的特*及其複雜程度、離子半徑等多種因素制約。
我們發現超晶格所產生的光電流並沒有因為量子井結構而降低，但暗電流卻有減少。
在原子價電子層結構的基礎上提出了原子結構半徑和鍵參數的概念，並利用鍵參數研究鹼金屬鹵化物晶格焓。
氧化鈷平面中鈷原子呈三角晶格點陣排列，被稱作三角晶格超導體。
晶格可以看成是一堆有質量的*簧。
這些晶格可能有不完善之處，例如位錯和空穴。
此後，非線*晶格體系中的孤子成為一個活躍的研究領域。
這類信息首先被放置到提升晶格層中，然後由與身體編織有關的天使和提婆們下載到遺傳晶格層中。
水雲母是釩的主要賦存體，釩是以類質同象的形式產於水雲母的晶格中。
隨着分子束外延（MBE）和有機金屬化學汽相澱積（MOCVD）技術的發展，出現了新型的半導體超晶格量子阱長波紅外探測器。
當你將所有動物晶格層替換上人類晶格層及DNA的時候，身體的相關部位也將能變成水晶體。
在非線*情況下，各階通帶中旋轉的晶格孤子可以在旋轉光子晶格中較穩定地傳輸。
這一原因是，在鹽水中，晶格層當旋轉時會膨脹起來。
位錯處存在晶格畸變，雜質易於在此處聚集，達到一定濃度就會抑制晶體在此處生長而形成V缺陷。
反光晶格帶廣泛應用於各種安全服飾、安全鞋帽及其它各種安全製品，可依據客户來樣訂製各種圖案。
這是成分5的圖表，晶格能，記住這個數。
膠態晶體法是利用膠體溶液的自組裝特*將納米團簇組裝成超晶格，可得到二維或三維有序的超晶格。
人工合成硫*型鈣*石和鉻*型鈣*石晶體的x*線衍*譜顯示，鉻*型鈣*石的晶格比硫*型鈣*石的稍大一些。
計算表明，陳氏三維晶格反演比CGE方法具有更快的收斂*，容易獲得較高精度的原子間相互作用勢。
最後指出晶體硬度不僅與晶體的結構、晶格能有關，而且也與温度的影響有關。
角*那帽子被壓扁的這個形變是由晶格點所控制的，子化晶格點到帽子上，那麼帽子就可以在動畫時繼續保持這個形變。
研究結果表明，在存在表面這樣的量子阱結構中，雖然系統不含有能帶論要求的晶格週期*，但在作約10毫電子伏躍遷能量修正後，其量子受限特*與能帶論的預期仍然是一致的。
經過熱處理後，樣品的晶格常數、晶粒尺寸、比飽和磁化強度增加，而矯頑力先增後減。
論文第四章主要研究雜質對經典維格納晶格的影響。我們從基態構型到熔融特*進行了全面的討論。
結果表明：所合成的碳*羥基*灰石，碳*根能夠進入晶格。
紅*網眼布及高亮反光晶格帶製作。
提升晶格層位於遺傳晶格層之外，是一個讓你在其中構建水晶體遺傳藍圖的模板。
晶體結構、反商晶格、晶體鏈結、聲子、自由電子費密氣、能帶、半導體晶體、超導體、介電材料與鐵電材料、抗磁與順磁、鐵磁與反鐵磁、磁與共振。
對於平衡晶格常數、體模量、結合能和能帶結構的計算結果與從頭算贋勢方法較接近；
在考慮存在失配位錯的情況下，計算了馳豫晶格失配、曲率半徑和失配位錯密度。
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