織構單晶體組分研究是分析多晶體板材塑*各向異*的基礎。
GB/T15250-1994壓電鈮*鋰單晶體聲波衰減測試方法
用熔鹽電解法生長立方鈣鈦礦結構的*鎢青銅單晶，該單晶體具有金屬導電*。
研究了中子輻照下鈦寶石單晶體缺陷的形成及光學*能的變化
研究人員首先在單晶體TiO2平面上製作一層或兩層的單分子硒化鉛量子點。
黃蠟石是一種稀有的資源,屬砂巖,礦物結構是二氧化硅,單晶體礦物,主要物質為石英,油狀臘質。
單元粒子是單晶體構成的細小的粘土顆粒，是由一種或多種層狀結構的硅*鹽構成的混層粘土的基本單元。
合成的氧化鎵納米結構是單晶體。
SHELX是一套程序，它用於從單晶體衍*數據中的晶體結構決定。
用金剛石鋸先將單晶體切成段，再切成片。
本文報導了用溶膠—凝膠法自生壓力下水熱合成12—硅鉬*鹽，併成功培養出結晶完美的大單晶體。
TiO2因為是容易獲取的單晶體並有易吸收電子的特*而被選中。
通過把鈰鋁玻璃放置在25吉帕壓力下——大約250000倍的標準大氣壓——這個研究小組製成了單晶體。
單晶體的電子衍*花樣，就幾何*質而言，雖然它與落在反*球面上的所有倒格點所構成的圖形完全一致，但是一個衍*斑點卻不是由一個倒格點所產生
CBN黑*立方氮化硼單晶，等積形單晶體，晶體較完整，具有較高韌*和熱穩定*。
得到了與鉬和鐵硅單晶體完全一致的結果.
通過優化生長工藝，製備得到了徑向尺寸大於m的半球狀SiC單晶體。
試驗結果表明，單晶體組成的鑄造用硅砂具有較高的穩定*和耐用*；多晶*體砂粒組成的鑄造用硅砂具有較低的穩定*。
對該突變體酶進行了晶體生長研究，獲得了較大的單晶體。
一百零本文分析了用布里奇曼法生長*化鉛單晶體的結晶過程。
高度完整的單晶體對於製造集成電路來説是絕對必要的。
鉛基弛豫鐵電單晶體由於其優異的壓電*能在機電換能領域具有廣泛的應用前景。
凝膠點以前，得到的是單晶體；
用透*電鏡選區電子衍*（TEM）方法測試了導模法生長的白寶石單晶體的晶體結構和點陣常數。
黃蠟石是一種稀有的資源，屬砂巖，礦物結構是二氧化硅，單晶體礦物，主要物質為石英，油狀臘質。
在此提供了一種閃爍體晶體以及用於生長閃爍體晶體的一種方法，該晶體包括一種生成態的限邊送膜生長（EFG）的單晶體。
一百作為比較，我們還計算了一維單晶體以及一維無序體系對應的*質。
的單晶體，對其進行了X*線粉末衍*、元素分析、紅外光譜、熱重分析和X*線單晶衍*測定。
單晶體結構，確保高可靠*。
因此，金剛石單晶體的生長看來既受到太高的碳*超飽和度的影響，也受到少量原子態*的影響，還受到生長物質表面遷移率減小的影響。
考查了鑄造用天然硅砂的礦物晶體形態，可將其大致分為單晶體和多晶*體兩類。
典型的有機薄膜是單分子二維單晶體、雙分子膜和水鑄膜，其厚度與分子長度大約一致。
採用改進的昇華法在氮氣環境下製備氮化鋁單晶體。
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