推導出高能原電子斜入*時的金屬的有效真二次電子發*係數的表達式,它與入*角的餘弦近似成反比。
該解析表達式表明,平衡電位值會隨二次電子產額和二次電子的最可幾齣*能量而增大。
在此基礎上,對複合腔迴旋管進行了大信號分析,計算了基波與二次電子迴旋諧波情況下電子效率與一些參數的關係。
模擬計算表明,在法拉第圓筒的基礎上加上電場抑制,能很好地抑制二次電子流的產生。
討論密封式中子管中抑制二次電子的幾種方法。
而在放電功率升高的過程中,離子轟擊*極產生二次電子發*效應導致了光發*譜強度急劇增強的轉變。
濺出材料的形態可能是二次離子、原子及二次電子。
絕緣介質層的二次電子發*,使放電電流增大。