1、文中從單電子晶體管微觀哈密頓量出發,.推導基於微觀參量表徵的單電子器件輸運特*公式及隧道結電阻表示式。
2、建立了高精度單電子器件測試系統。系統具有良好的温度控制、精確的電學特*測量和可加高強度磁場等*能。