7、粉末壓型燒結氮化硅樣中氮和氧難以完全釋放，其主要原因為燒結氮化硅樣與粉末氮化硅樣釋放動力學條件不同。
11、第三章為多孔硅表面氮化硅的澱積與轉移技術的結果與討論。
15、本文研究了激光誘導化學氣相沉積法制備納米氮化硅的工作原理，提出了減少遊離硅的措施，利用雙光束激發製備了超微的、非晶納米氮化硅粉體。
19、本發明涉及一種氮化燒結鈦*鋁-氮化硅複合材料及其製備方法，屬陶瓷材料領域。
23、以環氧改*有機硅樹脂為基體，氮化硅、氧化鋁混合填料為導熱粒子製備了導熱絕緣塗料。
27、基礎油中磺*鈣的加入使氮化硅的磨損速率得到降低。
33、本實驗通過系統地改變沉積參數，在經過清洗好的單晶硅片上沉積了一系列的氮化硅薄膜。
37、此設計用於化爆產生平面動載的氮化硅粉體衝擊波活化研究，取得了較為理想的測試結果。
41、採用*頻等離子體增強化學氣相沉積法(RF - PECVD)在鋼襯底上沉積氮化硅薄膜。
45、氮化硅陶瓷*具的使用提高了生產效率，降低了加工成本，有着廣泛的應用前景。
49、本文主要介紹了用於軟X*線顯微術的氮化硅窗口的製備工藝，給出在國家同步輻*實驗室軟X*線顯微術實驗站使用的實驗結果。
53、對氮化硅陶瓷磨削表面進行實驗觀察，從理論上分析了陶瓷材料的加工機理，提出了陶瓷的半延展*磨削模型。
4、介紹了氮化硅球的加工工藝過程。
9、惰氣熔融法結合五元浴能夠準確測定燒結氮化硅中氮。
14、玻璃襯底與非晶硅膜之間的非晶氮化硅膜對非晶硅膜的晶化沒有明顯影響。
20、用高能量密度脈衝等離子體於室温下在氮化硅陶瓷*具上成功沉積了高硬耐磨的氮化鈦塗層。
25、激光誘導氣相沉積法是製備納米氮化硅粉末的主要方法之一。
32、降低編程電壓，同時仍保持十年的數據記憶時間，一直是多晶硅氮化硅氧化硅硅（SONOS）研究人員面臨的一個巨大挑戰。
38、採用光化學氣相澱積(光cvd)氮化硅薄膜進行器件的表面鈍化，使整個器件提高了可靠*。
43、氮化硅可以通過適當摻雜引入雜質能級，用於製造量子阱獲得藍光激光。
48、對氮化硅結合碳化硅材料進行了摻入稀土的系統實驗，並對產品進行了力學*能測試和X*線衍*測試。
1、氮化硅廠擁有國內先進的氮化硅燒結設備。
6、氮化硅是優良的陶瓷材料，應用廣泛。
13、氮化硅陶瓷是一種較好的滾動軸承材料。
21、本論文旨在探索高壓釜中氮化硅、氮化鋁等耐高温納米材料的低温製備方法。
28、燒結助劑是影響氮化硅陶瓷的顯微結構和*能的關鍵因素之一。
36、目前對氮化硅材料的電子結構和光學*質的第一*原理研究較少，特別是碳摻雜的氮化硅材料的第一*原理研究更少。
44、我們已經發現，可以通過*作某些膜沉積參數來調節單層氮化硅膜的應力。
51、主要闡述了採用自制新型水介質等離子弧設備對氮化硅陶瓷材料進行加熱輔助切削的試驗條件及過程。
5、小楔塊兒陷於兩個氮化硅窗體中間。
16、本發明公開了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化硅層，以及位於所述碳化硅層之上的氮化硅層。
24、其做法是在納米級氧化硅透明襯底上生長氮化硅波導，襯底的折*率遠小於波導。
35、介紹了微晶玻璃、石英陶瓷、氮化硅等幾種天線罩材料的*能，重點探討了可控密度氮化硅陶瓷材料的特點及在導*天線罩上的應用。
46、大量的實驗研究表明，PECVD氮化硅薄膜的組成、結構及其*能與沉積參數密切相關。
2、目前，硅粉直接氮化法是製備氮化硅應用最普遍的方法。
12、本文介紹了多孔氮化硅陶瓷介電和機械*能。
26、本文還對燒結氮化硅樣中氧的聯測結果進行了討論.
40、探討如何用電子迴旋共振化學氣相沉積(ECRCVD)設備製備非晶態氮化硅介質膜和光學膜。
52、該器件結構具有一非均勻摻雜溝道，採用氮化硅作為電荷俘獲介質，利用帶帶隧穿熱空穴注入進行編程，溝道FN隧穿進行擦除。
17、先沉積氮化硅薄膜再*等離子體處理能得到更好的鈍化效果。
34、有效的燒結助劑不但可以改善氮化硅陶瓷的顯微結構，而且可以提高氮化硅陶瓷的高温*能和抗氧化*能。
50、通過將石墨烯薄片放置在一個氮化硅薄膜上，並用電子束在石墨烯上打出納米尺度的孔，他們製作出了一系列從5到25nm直徑的孔。
18、浸漬強化處理是提高反應燒結氮化硅*能的有效措施。
42、在鋁電解方面，氮化硅結合碳化硅遠較*極碳塊耐腐蝕、抗氧化、電阻率高，是理想的電解槽側壁內襯材料。
10、氮化鎵是增長了等離子體輔助(111)和分子束外延(001)硅襯底上氮化硅緩衝層使用鉿。
47、報導用連續波CO2激光加工機對氮化硅陶瓷的激光打孔試驗，獲得了深徑比達18.75的結果。
31、介紹了氮化硅陶瓷*具的切削*能、切削用量的選擇及其應用。
22、論述了氮化硅陶瓷材料的特點，選擇了氮化硅陶瓷軸承作為有機硅室温膠攪拌釜底軸承並進行了相應設計。
39、適當引入氮化硅，降低了鋁炭磚的氧化失重率，提高了其抗脱*劑侵蝕的能力及磚的抗氧化*能。
8、硅基太陽能電池中，氮化硅用作鈍化膜和減反*膜；
3、氮化硅、二氧化硅雙層透明膜可用作硅pin光電探測器抗反*膜。
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