7、本發明公開了一種金屬硅化物的形成方法,包括步驟:提供一表面含硅材料的襯底;
11、金屬硅化物因其薄膜電阻率低,熔點高,化學*質穩定,在微電子領域具有廣闊的使用前景。
3、用於增強和取代多晶硅的難熔金屬和難熔金屬硅化物通常是用物理蒸發沉積工藝沉積的。
8、進行第二次退火以便將通過第一次退火的兩次熱循環形成的富金屬硅化物相轉化成處於其最低電阻相的金屬硅化物(68)相。
1、因此在硅基底上形成金屬硅化物薄膜也被廣泛應用於半導體工業。
6、本發明方法制備的金屬硅化物層熱穩定*高,且生長速度可控。
2、闡述了稀土金屬硅化物的生長工藝和與硅襯底間勢壘及界面特*。
10、本發明屬於微電子器件技術領域,具體為一種形成超薄可控的金屬硅化物的方法。
9、目前主要的改善方法是向鋁包鎳中添加元素,例如:添加金屬鉬、鎳硼粉和難熔金屬硅化物等。
12、一種微波*等離子體制備金屬硅化物薄膜的方法,用於薄膜製備領域。
5、金屬硅化物的製備方法和工藝條件對硅化物的形成及分佈有顯著的影響,從而影響其顯微結構。
4、特別是,當難熔金屬硅化物薄膜是硅化物薄膜的鎢,銅的濃度最好,它在0.1至1.0範圍為野生。%。