“晶體缺陷”簡單造句，晶體缺陷造句子

二百隨牽伸速率的增大，LDPE相結晶度出現先增加後減小的變化，晶體缺陷增多。

發現鎢和碳化鎢粉形狀複雜，多為樹枝狀或鏈狀顆粒團形式，碳化鎢粉中有較多的晶體缺陷。

一百通常講，具有更少的晶體缺陷，更光滑的外形、更高的晶體密度，則有利於降低炸*的感度，提高安全*。

由於V_4C_3沿奧氏體的晶體缺陷析出，故這些缺陷將遺傳至馬氏體中。

一百同一摻雜量的鈮*鋰晶體，與生長態的相比，晶體缺陷氧化態的增加，還原態的減少。

正電子湮沒參數的週期*，與點陣畸變和晶體缺陷的週期*變化有關。

通常採用含兩個耦合參數的緊束縛近似，就能很好地描述光子晶體缺陷因耦合而導致的共振頻率*。

研究了中子輻照下鈦寶石單晶體缺陷的形成及光學*能的變化

本文討論了由晶體缺陷所致的自增強衍*光，富集於缺陷的空間電荷所致的空洞場，以及由此場導致的發生在疇界上的靜電斥力對此損傷所起的作用。

在分析晶體缺陷研究的基礎上提出了對鈮*鋰晶體進行缺陷控制的意義及理論依據，指出缺陷控制的主要任務是保護鋰格位。

再結晶雖然可能細化了晶粒，但大量消耗了熱變形奧氏體中的晶體缺陷，其結果是遲滯了相變過程。

變形温度高則回覆快，晶體缺陷消失速度快，不利於晶粒的細化，甚至還會出現晶粒長大現象。

基本模型是跨越傳統學科的治療，不僅在方法上的討論，而且在晶體缺陷，微觀結構，流體，聚合物和軟物質的章節。

在對合成金剛石晶體的寶石學初步研究的基礎上，利用同步輻*勞埃形貌相，對合成金剛石的晶體缺陷進行了初步研究。

我們認為這裏的晶體缺陷是致命缺陷。

採用X-*線衍*儀、透*電鏡研究了可鍛鑄鐵白口組織中硅對共晶滲碳體點陣參數、晶胞體積及晶體缺陷的影響。

由於正方形二維光子晶體具有光子禁帶，所以在光子晶體缺陷處可形成對光子束縛的缺陷本徵模。