“電子束光刻”簡單造句，電子束光刻造句子

殘留表面電位會在後續觀測中引入誤差，影響臨界尺度掃描電鏡法的測量精度，並在電子束光刻中造成位置誤差。

本文的模擬結果不僅能為高能電子束光刻工藝優化曝光條件、降低鄰近效應提供理論指導，而且能為進一步的鄰近效應的校正提供更精確的數據。

納米光刻技術在微電子製作中起着關鍵作用，而電子束光刻在納米光刻技術製作中是最好的方法之一。

因此目前電子束光刻設備主要的用途是用於刻制掩膜板，許多人甚至認為電子束光刻技術的產出量永遠也無法滿足芯片量產的需求。